三星电子在Computex 2026展会上首次公开其第八代高带宽存储器HBM5原型，星电这标志着该公司在AI存储市场的首次进一步布局。在存储价格持续上升的展示注下争背景下，市场对韩国存储厂商的存储竞盈利预期显著提升。

三星电子首席技术官Song Jae-hyuk表示，星电随着AI系统日益复杂，首次存储、展示注下争晶圆代工、存储竞逻辑芯片与封装等全价值链的星电竞争力愈发重要。HBM5的首次技术亮点在于名为Heat Path Block（HPB）的热管理创新，该技术有效缓解了高密度堆叠芯片中的展示注下争热量积聚，提高了性能的存储竞稳定性与可靠性。

在HBM4E方面，星电三星已于5月末率先向全球主要客户发货12层HBM4E样品，首次成为市场首家出货此产品的展示注下争厂商。HBM4E提供了14Gbps的传输速度，可扩展至16Gbps，带宽达3.6TB/s，存储容量为48GB，比上一代提升了超过30%。

通用DRAM价格的显著上涨使三星与SK海力士在HBM定价方面占据主导地位，两家公司的盈利预期因此大幅上升。摩根士丹利预计，三星今年的营业利润可能同比增长464%，而SK海力士则为280%。

HBM5：热管理突破与先进工艺路线

三星推出的HBM5原型以HPB热管理技术为核心，旨在应对AI模型日益增长的运算需求与存储带宽的提升。该技术通过在半导体晶圆之间导热，改善了芯片的整体运行稳定性，预计将在HBM5商用时正式启用。

Son Jae-hyuk提到，该技术的实现需要从多个层面重新设计芯片架构。作为集存储、晶圆代工与封装于一体的制造商，三星具有其他厂商难以复制的协同优势。此外，三星计划成为业内首家采用混合铜键合（hybrid copper bonding）先进封装技术的公司，以提高散热效率与芯片性能，样品已提供给多家客户。

HBM4E：速度与容量双升级，量产在即

除了HBM5的展望，三星还在展会上展示了HBM4E平台，该产品的引脚传输速度达14Gbps，带宽最高可到4TB/s，采用1c DRAM工艺制造。三星5月29日公告指出，12层HBM4E样品的能效较上一代提升16%，有望提高高负载数据中心场景中的可靠性并降低能耗。HBM4E与HBM4共享核心技术路径，旨在提高制程稳定性与良率。

HBM4E在产品线规划上，除了现有的12层48GB版本，还将推出32GB（8层）和64GB（16层）的版本，以适应不同客户需求，量产计划将依据客户进度推进。

存储价格全线上涨，韩国厂商盈利有望创历史新高

在AI存储领域积极布局的同时，整体存储市场价格的上升为三星提供了有力支撑。市场普遍认为，通用DRAM价格的大幅上涨使收益性接近HBM水平，三星和SK海力士均无需依赖HBM冲量维持营收，因此在价格谈判中处于更有利的位置。三星采取审慎的产能分配策略，限制了DRAM向HBM的过度转移，以保持HBM的高价格区间。

据悉，三星HBM4的谈判价格已接近700美元，较HBM3E高出20%至30%。HBM、通用DRAM及NAND闪存价格的同步上涨为韩国存储厂商带来了全面的盈利改善预期。摩根士丹利预测，三星电子今年的营业利润将达到约245.7万亿韩元，同比增长464%；SK海力士的营业利润预计为179.4万亿韩元，同比增长约280%。两家公司的业绩改善预计将持续整个年度。

本文转载自：华尔街见闻；官网编辑：陈筱亦。